Read e-book online Amorphe und polykristalline Halbleiter PDF

By Walter Heywang

Die faszinierenden Erfolge der modernen Halbleiterelektronik, basie rend auf einkristallinem Silizium sowie den einkristallinen III-V -Halb leitern, haben den Blick so sehr auf sich gezogen, daB einige andere Entwicklungen auf dem Halbleitergebiet weniger B'eachtung fanden. Ge rade neuere Entwicklungen zeigen aber, daB auch diese Sektoren sich durchaus gesund weiterentwickeln mit wichtigen Nutz.ungsgebieten fUr die Elektronik, insbesondere im Bereich peripherer Systeme, wie Sensoren, monitors, Elektrophotographie oder aber bei Spezialaufga ben, wie der Thermoelektrik oder dem Uberspannungsschutz. Es er schien daher sinnvoll, die Buchreihe "Halbleiterelektronik" durch ei nen Band zu erganzen, der - ausgehend von den Eigenschaften dieser Sondermaterialien - deren Nutzung in der modernen Elektronik be schreibt. Wegen der Vielgestaltigkeit des Inhalts erschien es mir sinnvoll, die einzelnen Kapitel von den dort genannten Fachleuten gestalten zu las sen. Ich hoffe, daB es trotzdem gelungen ist, einen geschlossenen Uberblick zu geben, wobei aber auf die an einigen Stellen besonders enge Korrelation zum Band "Sensorik" dieser Reihe verwiesen sei. Die ersten Konzeptionen zu einem Buch tiber amorphe und polykristal line Halbleiter wurden noch zusammen mit Herrn Professor Dr. Herbert Weill erarbeitet, der im Marz 1981 tOdlich verungltickte. Unser aller Dank gilt ihm und seiner Initiative.

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Das vorliegende Buch entstand wahrend meiner Tatigkeit als wissenschaftlicher Mitarbeiter am Fraunhofer-Institut fur Produktionstechnik und Automatisierung (IPA), Stuttgart. Herrn Professor Dr. -Ing. H. -J. Warnecke danke ich fur seine wohlwollende Unterstutzung und F6rderung meiner Arbeit. Mein Dank gilt in gleicher Weise Herrn Professor Dr.

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Abschn. 1) versteht man den elektronischen Schalteffekt durch das Aufftillen der Leitungsbandminima und Valenzbandmaxima durch injizierte Ladungstrager (s. Band 3, Abschn. 5). Sobald die Aufftillung die Mindestenergien EC und E,j tiberschreitet, steigt die Leitfahigkeit sprunghaft an. 29J, so ftihren chalkogenhaltige Materialien doch bislang zu der groBten Stabilitat und Zuverlassigkeit mit bis zu 10 14 Schaltzyklen. Man ftihrt dies auf die Exi- 49 stenz der einsamen Elektronenpaare zuriick, bei denen Besetzungsiinderungen nicht die Valenzbindungen und damit den Zusammenhalt des Netzwerks aufbrechen.

Ein besonderer Vorteil des a-Si:H besteht darin, daB seine Herstellung nach dem prinzipiell gleichen Verfahren geschieht wie zahlreiche andere, insbesondere Isolatorschichten. So kann man im gleichen Reaktor nacheinander, nur durch einen Wechsel der zugefiihrten Gase, verschiedenartige Schichten mit dem a-Si: H zusammenstapeln. Hiervon macht 65 man bei der Herstellung des Feldeffekttransistors vorteilhafterweise Gebrauch, in dem man als Isolatorschicht Siliziumnitrid in der Glimmentladung ("Plasmanitrid") direkt auf das a-Si: H niederschliigt.

10. Die ProzeBschritte beim elektrophotographischen Umdruck. In einem Kopiergerat ist der Photoleiter meist auf einer rotierenden Trommel aufgebracht und lauft periodisch an den ProzeBstationen vorbeL Zur Entwicklung (Schritt 4) werden elektrisch geladene Farbpartikel (Toner) aus einem Vorratsbeha lter in enge Berlihrung mit der Photoleiteroberflache gebracht. Die (negative) Ladung an der Grenzflache Metallunterlage/ Photoleiter wird durch Influenz von der aufgesprlihten (positiven) Ladung erzeugt 42 duzierten Ladungstragererzeugung entsprechen erst fUr groBe angelegte Felder der spektralen Lage der optischen Absorptionskante.

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